在22日易维讯举办的年底ICT媒体论坛暨2015产业和技术展望研讨会上，富士通发布了其FRAM(铁点非易失性随机存储器)，该产品有望重新定义高可靠性RFID标签及计量仪表。

年底ICT媒体论坛暨2015产业和技术展望研讨会

　　富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇先生现场解析了各种存储技术和介质，并例举了FRAM的性能优势。

富士通半导体(上海)有限公司市场部经理蔡振宇先生

　　据蔡经理现场介绍，FRAM是Ferroelectric Random Access Memory的缩写，是运用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储，又可以像PAM一样操作。与常用的E2PROM相比，铁电FRAM更加快速、耐写、以及低功耗。铁电FRAM有40000倍于E2PROM的烧写速度，实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问题。那么具体FRAM有多快?蔡经理带来的现场DEMO显示，FRAM只需0.5S可以传送的数据，E2PROM需要13.4S。同时，铁电FRAM还具有高读写耐久性1万亿次的特点，可以频繁记录操作历史和系统状态，这一点强于E2PROM 一百万倍(E2PROM只有一百万次)。而且只有其1/1000的超低功耗，写入时无需升压。

	FRAM	E2PROM	FLASH	SRAM
Type foMemory	Nonvolatile	Nonvolatile	Nonvolatile	Volatile
Data write	Overwrite	Erase+write	Erase+write	Overwrite
Write Cycle Time	150ns	15ms	6ps	40ns
Endurance	>1012	<106	<106	∞
Operation Current(Max)	10uA	5MA	30MA	9MA

　　FRAM与其它存储器的比较

　　富士通从1999年开始量产，14年累计销售23亿片FRAM产品。蔡经理总结基于富士通FRAM的产品特长道：“首先无须电源保护，无须后备电池，瞬间断电保护，可以做到小封装化，减少维护保养工时，更加环保和低功耗。其次高速/高读写耐久性，实现信息数据的实时频繁记录。其三，最重要的是抗辐射性，与其他传统存储器相比，不易受射线(α射线，中性电子线等)影响。”

　　富士通FRAM可以广泛应用于RFID标签、电表、水表、燃气表、ATM机、有线内窥镜、通用验证芯片等等产品中，特别是FRAM RFID产品成就斐然。

　　在工业自动化领域中，和西门子合作成功将FRAM RFID标签应用于汽车生产线，同时波音飞机在维护零件过程也运用FRAM RFID标签来管理和存储维护记录。

　　蔡经理表示：“FRAM RFID之所以可以应用汽车等生产线，是因为其高速写入能力，常规标签写入往往比读取慢得多，但FRAM RFID的写入速度和读取速度是一样的快，对于流水生产线而言，速度非常重要。而且如果要详细记录物品流通过程中的环境数据，设备的状态数据，不但要读写快，而且要能反复读写大量数据的话，无疑FRAM RFID比常规RFID更加理想。”

　　在医疗领域中，因为常用伽马射线消毒，普通的基于E2PROM的标签数据会被破坏，而FRAM RFID标签无惧伽马射线。在医疗设备、容器、包装材料等物品上直接黏贴标签就可以进行灭菌，灭菌后标签数据不会消失。

　　蔡经理表示：“我们已经推出了两款成熟的FRAM RFID，其中包括MB97R8050和MB97R803A/4B，他们符合ISO18000-6C的标准。我们在医疗和医药中用了很多RFID新的产品，像手术台的追溯，药剂盒子，类似于穿刺、血透的管子，美国和欧洲的国家会有很多接触到医疗器械的地方，需要经过伽玛放射性消毒，普通的标签满足不了要求，只有基于FRAM的RFID可以满足。从目前的情况来讲，原来是美国和欧洲的需求比较多，慢慢地我们看到，中国的医院和中国客户也慢慢接受这个产品，需求会越来越多。目前市场上只有我们的FRAM的RFID可以做到满足这些需求。”